特許

J-GLOBAL ID：200903037805825703

半導体装置の製造方法

発明者： 上田 徹 ,  福島 康守 ,  樋上 佳則
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-148173
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340504
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 十分な金属ゲッタリングが行われて表面凹凸が小さくピンホールのない高品質な結晶性珪素膜を用いる。【解決手段】 石英基板21上に非晶質珪素膜22を堆積して金属Niを導入し、非晶質珪素膜22を結晶化させる。酸化膜パターン26をマスクとして燐をイオン注入する。窒素雰囲気中で加熱処理を行ってNiをゲッタリングする。O2雰囲気中で熱処理を行って酸化膜30中にNiをゲッタリングする。このように、第1のゲッタリングを非酸化性雰囲気中で行って、酸化しても凹凸の増大やピンホールの発生が生じないレベルまでNiの濃度を減じることができる。そのために、第2のゲッタリングでは凹凸の増大やピンホールの発生を気にすることなく十分な酸化を行って、極低レベルまでNiの濃度を低減できる。また、表面に凹凸やピンホールのない高品質な結晶性珪素膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜に結晶化を促進させる金属元素を導入し、非酸化性雰囲気中において第1加熱処理を行って上記非晶質珪素膜を結晶化させ、結晶性珪素膜を得る工程と、非酸化性雰囲気中で第2加熱処理を行って、上記結晶性珪素膜中における少なくとも一部の領域の上記金属元素を除去もしくは低減する第1ゲッタリング工程と、酸化性雰囲気中において第3加熱処理を行って、上記結晶性珪素膜中における上記第1ゲッタリングが実施された領域の上記金属元素をさらに除去もしくは低減させる第2ゲッタリング工程と、上記第2ゲッタリング工程において形成された酸化膜を除去する工程を備えたことを特長とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322 Q ,  H01L 21/322 X ,  H01L 21/322 R ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (42件)：

5F052AA11 ,  5F052CA08 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052HA07 ,  5F052JA01 ,  5F110AA18 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HL27 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP22 ,  5F110PP23 ,  5F110PP34 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ10 ,  5F110QQ11