特許

J-GLOBAL ID：200903037807491144

イオンビーム引き出し方法

発明者： 酒井 滋樹 ,  高橋 正人 ,  丹上 正安
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-127958
公開番号（公開出願番号）：特開平9-288981
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 水素希釈のジボランガスを用いる高周波イオン源から、ジボランイオンがほぼ100%のイオンビームを引き出す方法を提供する。【解決手段】 高周波イオン源2のプラズマ室10内に、ガス36として、水素希釈のジボランガスを導入する。かつ、高周波電極6とプラズマ14との間のシース電圧V1 を4〜12Vの範囲にしてイオンビーム28を引き出す。

請求項（抜粋）：

筒状のプラズマ室容器と、その背面部の開口部を絶縁碍子を介して蓋をする高周波電極とを有していてこれらの内側にプラズマ室が形成されており、この高周波電極とプラズマ室容器間に高周波電力を供給して高周波放電によって、プラズマ室内に導入されたガスを電離させてプラズマ室内にプラズマを生成し、このプラズマから引出し電極系によってイオンビームを引き出す構成の高周波イオン源を用いて、そのプラズマ室内に水素希釈のジボランガスを導入し、かつ高周波電極とプラズマとの間のシース電圧を4〜12Vの範囲にしてイオンビームを引き出すことを特徴とするイオンビーム引き出し方法。

IPC (4件)：

H01J 27/16 ,  H01J 37/08 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/22

FI (4件)：

H01J 27/16 ,  H01J 37/08 ,  H01L 21/22 E ,  H01L 21/265 F