特許

J-GLOBAL ID：200903037810785787

拡大ドレインRESURF横DMOS装置

発明者： チア - ク ピー.メイ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120340
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307394
出願日： 1995年04月10日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高電圧PMOS装置および/または高電圧NMOS装置、および低電圧PMOS装置および/または低電圧NMOSを有する集積回路と、多くの方式の半導体処理工程に適応可能である前記装置とを、製造する簡単でかつ低コストの方法を提供する。【構成】 Ronの値を最適化することができるように、前記高電圧装置のブレークダウン電圧を容易に調整することがでる。低電圧MOS装置を作成するのと事実上同じ工程段階を用いて、高電圧MOS装置が基板の上に作成される。両端の等電位線を境界とする欠乏領域距離は、ドリフト領域21の物理的寸法より小さいように、HVドリフト領域N形タンク21およびP形タンク41に対する不純物濃度レベルを選定することにより、低い値のRonが得られる。

請求項（抜粋）：

低電圧トランジスタを低電圧ウエルの中に作成することができるようにかつ半導体基板から分離することができるように、前記半導体基板の中に前記低電圧ウエルを作成する段階と、高電圧トランジスタを高電圧ウエルの中に作成することができるようにかつ前記半導体基板から分離することができるように、前記半導体基板の中に前記高電圧ウエルを同時に作成する段階と、を有する、低電圧装置と高電圧装置とを備えた集積回路の製造法。

IPC (3件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 W