特許

J-GLOBAL ID：200903037814924676

半導体レーザー素子及びその製造方法

発明者： 谷 健太郎 ,  菅 康夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-206798
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040854
出願日： 1998年07月22日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 複数のレーザー光を生じる半導体レーザー素子のサイズを小さくすることを課題とする。【解決手段】 第1導電型の第1クラッド層、第1導電型の第1活性層、第2導電型の第2クラッド層をこの順で積層した第1半導体レーザーと、第2導電型の第3クラッド層、第2導電型の第2活性層、第1導電型の第4クラッド層をこの順で積層した第2半導体レーザーからなり、第2クラッド層が、厚さ方向に一部又は全体を除去したリッジ型のストライプ状の形状を有し、第2半導体レーザーがリッジ型のストライプの少なくとも片方の側面に接して位置することを特徴とする半導体レーザー素子により上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1クラッド層、第1導電型の第1活性層、第2導電型の第2クラッド層をこの順で積層した第1半導体レーザーと、第2導電型の第3クラッド層、第2導電型の第2活性層、第1導電型の第4クラッド層をこの順で積層した第2半導体レーザーからなり、第2クラッド層が、厚さ方向に一部又は全体を除去したリッジ型のストライプ状の形状を有し、第2半導体レーザーがリッジ型のストライプの少なくとも片方の側面に接して位置することを特徴とする半導体レーザー素子。

Fターム (9件)：

5F073AA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073AB06 ,  5F073BA06 ,  5F073CA05 ,  5F073CA14 ,  5F073EA04