特許

J-GLOBAL ID：200903037817393841

スパッタリング装置

発明者： 森田 正 ,  松浦 正道 ,  山本 直志
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (3件)： 清水 善廣 ,  阿部 伸一 ,  辻田 幸史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-184880
公開番号（公開出願番号）：特開2007-277730
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】従来のスパッタリング装置では困難であった数十〜数百Åの極薄で磁気ヘッドのギャップ層やトンネル接合型GMRに好都合な化合物絶縁膜を形成するスパッタリング装置を提案する。【解決手段】スッパタ用ガスと反応ガスとがそれぞれ導入される真空室1内に、直流電流5に接続されたターゲット6とその背後に磁石7および前記ターゲット前方のイオン化効率を高めるRFコイル8とを備えたマグネトロンカソード9を設け、前記ターゲットを異常放電力防止回路を介して前記直流電流に接続する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

スッパタ用ガスと反応ガスとがそれぞれ導入される真空室内に、直流電流に接続されたターゲットとその背後に磁石および前記ターゲット前方のイオン化効率を高めるRFコイルとを備えたマグネトロンカソードを設けたスパッタリング装置で、前記ターゲットを異常放電力防止回路を介して前記直流電流に接続したことを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (1件)：

C23C 14/34

FI (1件)：

C23C14/34 T

Fターム (9件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA03 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC33 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029GA02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高真空・高速イオン処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-199962   出願人：日本真空技術株式会社