特許

J-GLOBAL ID：200903037822788765

メタルベースを用いた半導体装置

発明者： 中山 修 ,  石川 浩嗣
出願人/特許権者： 日本発条株式会社
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-238612
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064928
出願日： 1996年08月21日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 簡単な構造をもって、放熱性が高く、かつ半導体チップに熱応力による影響が生じることのない半導体パッケージ等の半導体装置を提供する。【解決手段】 弾性のある高熱伝導性樹脂接着剤を用いることで、半導体チップと熱膨張率が大きく異なるAl等のメタルベース上にも直接半導体チップを搭載することができるようになり、メタルベースまでの熱抵抗が小さくなり、放熱性が向上すると共に熱膨張率の差から生じる熱応力による半導体チップへの悪影響を回避することができることから、その信頼性が向上する。しかも構造が簡素なため、製造コストが低廉化される。また、半導体チップがその接着面に接地用電極を設けている場合には、導電性(=高熱伝導性)の接着剤を使用することで、直接接地することができ、配線の簡素化、小型化及びノイズの低減を図ることができる。

請求項（抜粋）：

1つまたは2つ以上の半導体素子を搭載するメタルベースと、前記半導体素子に接続されると共に前記メタルベースに固着された配線基板とを有する半導体装置に於て、前記半導体素子が前記メタルベースに、前記半導体素子と前記メタルベースとの熱膨張率の差により生じる熱歪を吸収する弾性を有する高熱伝導性接着剤をもって接着されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/52 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/522

FI (3件)：

H01L 21/52 E ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/52 B