特許
J-GLOBAL ID：200903037826975713
センサ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
牛久 健司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187019
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022509
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【目的】 作製後にセンサ特性のばらつきを補正することができる,ダイナミックレンジが広いセンサ装置を提供する。【構成】 センサ装置は上面にn層12が形成されたp型シリコン基板10から作製される。n層12の中央はダイアフラム部14となっている。ダイアフラム部14の各辺にはピエゾ抵抗素子20が設けられる。n層12の上面に絶縁膜22が形成される。絶縁膜22上のダイアフラム部14に対応する位置にPt層24が設けられる。Pt層24の上には応力発生層(圧電,電歪材料等)26が設けられる。応力発生層26の上面には一組の櫛歯状電極28が互いに噛み合うようにして形成される。ダイアフラム部14は圧力に応じて変位する。ダイアフラム部14の伸縮に応じてピエゾ抵抗素子20の抵抗値が変化し,これに基づいて圧力が計測される。
請求項（抜粋）：
フレーム部,このフレーム部に支持され,外部から与えられる物理量に応じて変位する,または歪みを生じる可動部,およびこの可動部の変位または歪みを検出する素子を備えたセンサ装置において,上記可動部の少なくとも一部に応力発生層が設けられていることを特徴とするセンサ装置。
IPC (5件)：
H01L 29/84
, G01L 1/18
, G01L 9/04 101
, H01L 41/08
, H01L 41/12
H01L 29/84 A
, G01L 1/18
, G01L 9/04 101
, H01L 41/12
, H01L 41/08 Z
