特許
J-GLOBAL ID：200903037828295353
半導体装置のクリーニング方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-210588
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061155
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 本発明は,CVD装置,特にECRプラズマCVD装置のクリーニング方法に関し,クリーニングを短時間で完全に実施する方法を得て,メンテナンス時間の短縮,ゴミの減少による歩留りの向上,クリーニングの自動化を目的とする。【構成】 ECRプラズマCVD装置において,プラズマ生成室2,及び,反応室3内部を二重構造して,内側部分をエッチングガスによりクリーニングするように,また,前記エッチングガスによるクリーニング方法において,プラズマ生成室2,及び,反応室3内壁を70°C〜140°Cに加熱するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスのエッチング,或いは成膜装置において,チャンバ,及び内部機構を70°C〜140°Cに加熱してクリーニングすることを特徴とする半導体装置のクリーニング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
, H01L 21/31
