特許

J-GLOBAL ID：200903037829755994

データ記憶方法及びデータ記憶回路

発明者： 福谷 豊
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 内野 美洋 ,  松尾 憲一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-314924
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152366
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】メモリセルの状態変動に起因して記憶部に記憶したデータが変動することを抑制可能としたデータ記憶方法及びデータ記憶回路を提供する。【解決手段】入力信号に基づいて第1の状態と第2の状態のいずれか一方の状態となるメモリセルであって、第1の状態が第2の状態よりも不安定なメモリセルを複数用いて構成した記憶部に所定のデータを記憶する際に、データ毎に第1の状態となるメモリセルの数と、第2の状態となるメモリセルの数とを比較し、第1の状態となるメモリセルの数が第2の状態となるメモリセルの数よりも所定数以上となる場合には、メモリセルに入力する入力信号を反転させて記憶部への書込みを行なう。また、入力信号を反転させたことを反転制御用記憶部で記憶する。そして、記憶部からデータを読出す際には、メモリセルから出力した出力信号を、反転制御用記憶部による制御に基づいて反転させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

入力信号に基づいて第1の状態と第2の状態のいずれか一方の状態となるメモリセルであって、前記第1の状態が前記第2の状態より不安定な前記メモリセルを複数用いて構成した記憶部に、所定のデータを記憶するデータ記憶方法において、 前記入力信号に基づいて前記データ毎に前記第1の状態となる前記メモリセルの数と、前記第2の状態となる前記メモリセルの数とを比較し、前記第1の状態となる前記メモリセルの数が前記第2の状態となる前記メモリセルの数よりも所定数以上となる場合には、前記メモリセルに入力する入力信号を反転させて前記記憶部への書込みを行なうとともに、前記入力信号を反転させたことを反転制御用記憶部で記憶し、前記記憶部からデータを読出す際には、メモリセルから出力した出力信号を、前記反転制御用記憶部による制御に基づいて反転させて前記記憶部からの読出しを行なうことを特徴とするデータ記憶方法。

IPC (1件)：

G11C16/02

FI (1件)：

G11C17/00 611D

Fターム (4件)：

5B025AA01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE08