特許

J-GLOBAL ID：200903037832356758

微結晶半導体層の形成方法、および光起電力素子

発明者： 松田 高一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-167927
公開番号（公開出願番号）：特開2000-004036
出願日： 1998年06月16日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】 形成速度を高速にしても、電気的、光学的特性に優れた微結晶半導体層を形成できる微結晶半導体層の形成方法、および光起電力素子を提供する【解決手段】 原料ガスを反応容器の放電空間内へ導入し、原料ガスをプラズマ放電により分解し、微結晶半導体層を形成する方法において、反応容器内の基板と対向する面に複数のカソード電極を配置し、主たるカソード電極に原料ガスを分解するための主たる高周波電力を印加してプラズマを生成し、異なるカソード電極に主たる高周波電力よりも低い周波数の高周波電力を印加する。

請求項（抜粋）：

原料ガスを反応容器の放電空間内へ導入し、電力を印加して原料ガスをプラズマ放電により分解し、微結晶半導体層を形成する微結晶半導体層の形成方法において、反応容器内の基板と対向する面に複数のカソード電極を配置し、主たるカソード電極に原料ガスを分解するための主たる高周波電力を印加してプラズマを生成し、異なるカソード電極に主たる高周波電力よりも低い周波数の高周波電力を印加することを特徴とする微結晶半導体層の形成方法。

FI (2件)：

H01L 31/04 V ,  H01L 31/04 B

Fターム (11件)：

5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA12 ,  5F051BA14 ,  5F051CA16 ,  5F051CA22 ,  5F051CA23 ,  5F051CA34 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051GA02