特許
J-GLOBAL ID：200903037832483466
位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-039014
公開番号（公開出願番号）：特開2003-231965
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2003年08月19日
要約：
【要約】【課題】 光半透過膜における露光波長の半分程度より大きい径であるパーティクルとピンホールの合計数が、1平方センチあたり0.1個以下である位相シフトマスクブランクを製造できる製造装置及び製造方法等を提供する。【解決手段】 ハーフトーン型位相シフトマスクブランク製造用のDCマグネトロンスパッタ装置において、例えば、ターゲット面を重力方向に対して下向きに配置し、全面エロージョンカソードを用い、ターゲット端部の角の部分5a及びアースシールドの角の部分を曲面加工(R加工)し、ターゲット端部5b、露出しているバッキングプレート面4b及びアースシールド12の表面を荒らし、アースシールド12をターゲット面dより上部(バッキングプレート側)に配置する。
請求項（抜粋）：
透明基板上に、パターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、前記薄膜は、真空槽の内部に、スパッタリングターゲットと、ターゲットを装着するマグネトロンカソードと、前記ターゲットに対向して配置された基板ホルダと、真空槽内壁に設置されたシールドとを少なくとも有するDCマグネトロンスパッタ装置であって、ターゲット面は重力方向に対して下向きに配置され、ターゲット上のスパッタされない領域及びシールド面への成膜を低減する機構を有する装置を用いて製造したことを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
IPC (5件)：
C23C 14/34
, G03F 1/08
, G03F 1/14
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
C23C 14/34 C
, C23C 14/34 R
, G03F 1/08 A
, G03F 1/14 A
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 P
2H095BA01
, 2H095BB03
, 2H095BB25
, 2H095BB30
, 2H095BC26
, 4K029DA10
, 4K029DC01
, 4K029DC20
, 4K029DC21
, 4K029DC34
, 4K029DC39
, 4K029EA02
