特許

J-GLOBAL ID：200903037837317580

低温焼成セラミック誘電体及び低温焼成セラミック多層回路基板

発明者： 足立 聡 ,  大岩 誠五 ,  杉本 絹夫
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 加古 宗男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-064201
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264370
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 酸化鉛を含まず、低公害性とコスト性とを兼ね備えた低温焼成セラミック誘電体を開発する。【構成】 低温焼成セラミック多層回路基板11は、絶縁体層となる低誘電率グリーンシート12と、内層コンデンサ13の誘電体層となる高誘電率グリーンシート14とを複数枚積層して、1000°C以下で低温焼成して一体化したものである。低誘電率グリーンシート12と高誘電率グリーンシート14とは、金属粉体の混入の有無を除き、同じ組成であり、ガラス粉末とAl2 O3 粉末との混合物を用いて形成されている。高誘電率グリーンシート14は、例えばAg、Pd、Au、Pt、Cu、Ag-Pd合金等の金属粉体を混入することで誘電率を高めると共に、薄く成形して、内層コンデンサ13の容量を増加させている。

請求項（抜粋）：

1000°C以下で焼成された低温焼成セラミック中に金属粉体が5重量%〜35重量%混入されていることを特徴とする低温焼成セラミック誘電体。

IPC (3件)：

H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364 ,  H05K 3/46

FI (5件)：

H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364 ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-151613
  
• 特開昭62-265795