特許
J-GLOBAL ID：200903037844106277
配線用材料層及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-135850
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304151
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】 マスクパターンを再生しても、配線用材料層が局所的にエッチングされるのを防止して、信頼性の高い配線を形成することができる様にする。【構成】 Al-Si-Cu膜13上にAl-Si膜17を積層させ、これらの2層を配線用材料層にする。Al-Si-Cu膜13中で析出しているCu15がAl-Si-Cu膜13の表面に露出していても、Al-Si膜17の表面からはCu15が露出していない。このため、Al-Si膜17上でパターニングしたフォトレジスト膜14の再生に際して、このフォトレジスト膜14を除去するために、フォトレジスト膜14をレジスト剥離溶剤や酸で処理しても、Cu15はレジスト剥離溶剤や酸に接触しない。従って、局部電池作用等によってAl-Si膜17の表面が局所的にエッチングされることがない。
請求項（抜粋）：
Alを主成分としAlよりもイオン化傾向の小さい金属を含む第1のAl合金膜を下層側に有し、Alを主成分とし前記金属を含まない第2のAl合金膜またはAl膜を上層側に有していることを特徴とする配線用材料層。
FI (2件)：
H01L 21/88 Q
, H01L 21/88 B
