特許

J-GLOBAL ID：200903037846179913

半導体装置及びその製造方法

発明者： ▲もたい▼ 貴子 ,  江渕 康男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-195934
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017581
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 リーク電流の低減ができるなどキャパシタ特性の制御が容易で良好な特性を有する高誘電率誘電体膜用いたキャパシタを有する半導体装置及び耐圧が大きく劣化する反応層の存在を低減する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10上のTa2 O5 などの高誘電率の金属酸化膜を誘電体膜12とするキャパシタの上部又は下部或いは両方の電極12、13と誘電体膜との間にTiとAlの酸化膜11′、13′を形成する。電極には少なくともTiNとAlNの固溶系であるチタンアルミナイトライドを用いる。アルミニウム酸化物は、バンドギャップが広く安定しているために、リーク電流の抑制には極めて有利である。とくに上部電極及び下部電極の両方にこのチタンアルミナイトライドを用いた場合、成膜後に熱処理を加えることにより、Ta2 O5 などからなる誘電体膜をAl2 O3 で挟み込むのでリーク電流は著しく低下する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された下部電極と、この下部電極上に形成された誘電体膜と、この誘電体膜上に形成された上部電極とから構成されたキャパシタとを具備し、前記誘電体膜は、高誘電率の金属酸化膜からなり、前記下部電極及び前記上部電極の少なくとも一方は、Tix Al1-x N(x=0.05〜0.5)で示されるチタンアルミナイトライド層からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 Z

Fターム (13件)：

5F083AD21 ,  5F083GA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083PR33