ショットキーバリアダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-090759
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283771
出願日： 1996年04月12日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】高耐圧、小漏れ電流で、且つ、順電圧降下を低下させる。【解決手段】n+ シリコン基板1上にエピタキシャル成長によりn層2を形成し、このn層2の表面層にリング状のp領域5を形成し、n層2の表面およびp領域5の表面に酸化シリコン膜3を被覆し、この酸化シリコン膜3を選択的に除去して、p領域5の一部の表面とp領域5に囲まれるn層2の表面を露出し、この露出面にモリブデンやクロムなどの金属膜4をn層2内部方向では凸状になるように形成し、ショットキー接合を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電形の第1領域の表面層に第2導電形の第2領域が閉ループ状に選択的に形成され、閉ループ状の第2領域の一部の表面と閉ループで囲まれる第1領域の表面とが金属膜で被覆され、金属膜と第1領域との接合がショットキー接合であるショットキーバリアダイオードにおいて、金属膜と第1領域との接合形状が第1領域の内部方向に凸状であることを特徴とするショットキーバリアダイオード。

FI (3件)：

H01L 29/48 F , H01L 29/48 M , H01L 29/48 G

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