特許

J-GLOBAL ID：200903037846852600

太陽電池及びそれを用いた自己電力供給型表示素子、並びに太陽電池の製造方法

発明者： 八木 茂 ,  鈴木 星児 ,  鳥越 誠之
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210727
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208800
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 表示素子に重ねて使用することにより表示機能を使用中でも発電ができ、本質的に透明で高効率の太陽電池、それを備えた自己電力供給型表示素子、及び前記太陽電池の製造方法を提供すること。【解決手段】 少なくとも、透明導電性基板上に、400nm以上800nm以下における吸光度が0.8以下の可視光に透明な光半導体層、及び透明導電性電極をこの順に有してなることを特徴とする太陽電池である。前記光半導体層が、周期律表におけるIIIA族元素から選択される1以上の元素と、VA族元素から選択される1以上の元素とを含む態様、金属酸化物半導体を含む態様が好ましい。更に、前記金属酸化物半導体が、酸化チタン又は酸化亜鉛である態様、前記光半導体層の光学ギャップが2.8eV以上である態様が好ましい。

請求項（抜粋）：

少なくとも、透明導電性基板上に、400nm以上800nm以下における吸光度が0.8以下の可視光に透明な光半導体層、及び透明導電性電極をこの順に有してなることを特徴とする太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  G09F 9/00 347

FI (3件)：

H01L 31/04 E ,  G09F 9/00 347 A ,  H01L 31/04 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 微結晶化合物光半導体及びその製造方法並びに光半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-051931   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 特開昭61-091972