特許

J-GLOBAL ID：200903037857650960

装置保護膜

発明者： 小原 文雄 ,  大槻 浩 ,  豊島 正治
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-021822
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216121
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】低応力な高耐湿性の装置保護膜の提供。【構成】実施例として、半導体装置の基板上にプラズマCVD法によるSiN 膜を、組成比Si/N(この値をXとする)が化学量論組成比の0. 75より大きい範囲で、必要な組成比Si/Nの値Xに対して、図1に示す直線Y=1. 01×1022X + 0. 54×1022で求められる水素結合量Y(cm-3)の±18%以内となる水素結合量をSiN 膜が含有するように形成すると、ほぼ0 〜150MPaの低圧縮応力のSiN 膜が得られる。この構成のSiN 膜は耐湿性が良く、強度もあるため保護膜として適切である。

請求項（抜粋）：

装置上に形成された素子や配線などの機能的部分を、反応ガスのプラズマ化によって形成する窒化シリコン膜で保護している装置保護膜において、前記窒化シリコン膜を構成するシリコンと窒素との組成比Si/N(この値をXとする)が化学量論組成比の0. 75より大きい範囲で、必要な前記組成比Si/NのXに対して、数1式【数1】Y=1. 01×1022X + 0. 54×1022で求められる水素結合量Y(cm-3)の±18%以内となる水素結合量を前記窒化シリコン膜が含有することを特徴とする装置保護膜。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-157037
  
• 特開平4-330783
  
• 特開昭55-019850