特許

J-GLOBAL ID：200903037860980769

窒化物半導体素子および電極

発明者： 嶋本 敏孝 ,  大塚 信之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304551
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111061
出願日： 2000年10月04日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 電極金属の熱処理後におけるニッケルの拡散を抑止する電極構造によりピンホールの形成を抑止し、半導体及び電極金属との密着性と接触面積を向上することで低抵抗なオーミックコンタクトが得られる構造を提供する。【解決手段】 窒化物半導体3上に20 nm以下のニッケル層5の上に、白金層6を20 nm及び金層7を20 nm形成、こうした白金層・金層を1回以上繰り返して形成し、ニッケルは白金層に比べて金層の方が拡散し難いという性質及び拡散は異なる元素界面で抑止されることを利用して、白金層の間に挿入された7や9のような金層によりニッケルの拡散を抑止することで、ピンホールのような空洞形成を抑止することができる。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体上にニッケル(Ni)層を設け、その上に白金(Pt)層、金(Au)層を2回以上形成した電極。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/43 ,  H01S 5/042 610

FI (4件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/042 610 ,  H01L 29/46 B

Fターム (24件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH05 ,  4M104HH15 ,  5F041AA21 ,  5F041AA24 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073EA29