特許
J-GLOBAL ID：200903037864571430
バンプアニール方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191473
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013386
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子内の半導体回路に熱的ダメージを与えることなく、バンプのアニールを行うバンプアニール方法を提供する。【構成】 湿式メッキ法により周辺部にバンプが形成され中央部に半導体回路を有する半導体素子が多数個存在するウェハーを、XYステージ上に載置固定し、コントローラによりXYステージをXY方向に移動させながらバンプの存在する半導体素子周辺部のみにレーザーを照射してバンプをアニールするバンプアニール方法。
請求項（抜粋）：
湿式メッキ法により周辺部にバンプが形成され中央部に半導体回路を有する半導体素子が多数個存在するウェハーを、XYステージ上に載置固定し、コントローラによりXYステージをXY方向に移動させながらバンプの存在する半導体素子周辺部のみにレーザーを照射してバンプをアニールすることを特徴とするバンプアニール方法。
IPC (3件)：
H01L 21/321
, H01L 21/268
, H01L 21/324
