特許
J-GLOBAL ID：200903037866851642
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267413
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109728
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】配線をメッキプロセスで形成する場合に、メッキ液の劣化による形状異常、メッキマスクの亀裂によるパターン間ショート及び電解メッキ時の電流経路をエッチングする場合のエッチング物の再付着、サイドエッチング等の問題を解決する。【構成】フォトレジストパターン5を用いてまずアルミ4をエッチングし、続いてこのパターニングされたアルミ4をメッキ用のマスクとして用いてメッキ金6のパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に配線をメッキプロセスにより形成する際に、アルミニウム膜のパターンをマスクとしてメッキを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, C25D 3/48
, H01L 21/28 301
, H01L 21/288
