特許

J-GLOBAL ID：200903037874072326

磁気センサ

発明者： 佐藤 雅重 ,  田中 厚志 ,  小林 和雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036145
公開番号（公開出願番号）：特開平9-231516
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 磁界を検出する磁気センサ、特に、磁気記録装置の磁気読取ヘッドに用いるのに好適な磁気センサに関し、抵抗変化率が大きく、外乱磁界に強い磁気センサを提供する。【解決手段】 FeCo合金からなる強磁性体層12と、Al2O3からなる絶縁層14と、GaAsからなる化合物半導体層16とが積層された積層体10である。化合物半導体層16に円偏光を照射して分極した電子を生成する。化合物半導体層16に円偏光を照射しながら、直流電源20により強磁性体層12と化合物半導体層16に直流電圧を印加する。外部磁界の磁化方向が変化すると、それに応じて、強磁性体層12の磁化方向が変化して、強磁性体層12と化合物半導体層16間の磁気抵抗が変化する。この磁気抵抗の変化を電圧計22により測定する。

請求項（抜粋）：

強磁性体層と、絶縁層と、GaAs系化合物半導体層とが積層された積層体と、前記積層体の前記GaAs系化合物半導体層に円偏光を照射する照射手段とを有し、前記積層体の前記強磁性体層と前記GaAs系化合物半導体層との間のトンネル抵抗により外部磁界を検出することを特徴とする磁気センサ。