光電変換素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-273405
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125940
出願日： 1996年10月16日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】非晶質半導体を用いた場合の交換効率を向上させる。【解決手段】 p型a-SiC層、i型a-Si層、n型a-Si層を積層した構造において、p型a-SiC層にNd、Er等の希土類金属元素を含有させる。

請求項（抜粋）：

非晶質あるいは結晶質の第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層上に形成され希土類金属元素を含有する非晶質の第2導電型半導体層とを備えたことを特徴とする光電変換素子。

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