特許
J-GLOBAL ID：200903037876758071
半導体装置製造方法およびそれを用いた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-096513
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293509
出願日： 1995年04月21日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】光硬化性組成物8を用い、二次元パターンを有する光エネルギ3の照射によりシリコンチップ6の周囲に封止層を形成する半導体装置の製造方法及びそれを用いた半導体装置。【効果】金型レスであるためパッケージの多様化に迅速に対応できる。トランスファモールド法に比べ製造時間,製造コストを小さくできる。また半導体装置の信頼性が向上し、多ピン化への対応も容易となる。
請求項（抜粋）：
電気的回路が形成されたシリコン素子と前記シリコン素子の電極部分と電気的に接続された外部リードの一部分を封止する半導体装置の製造方法において、光により硬化する組成物を前記シリコン素子または前記シリコン素子の電極部分と電気的に接続された外部リードの一部分に接触させ、1000μm以下のスポット径を有する光エネルギを前記光硬化性組成物の硬化に必要なエネルギレベルで照射しながら走査し、前記光硬化物を前記シリコン素子、または前記シリコン素子と前記外部リードの少なくとも一部に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/56 E
, H01L 21/56 R
, H01L 23/28 A
