特許

J-GLOBAL ID：200903037887018223

太陽電池セルとその製造方法

発明者： 浅井 正人
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-091443
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297429
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】太陽電池モジュールの一部に影が形成されたときに出力低下を著しく減少さすことができかつ異常発熱による事故を防止し得る太陽電池セルを低コストで提供する。【構成】p型シリコン基板1の上面に形成された第1のn型層2aと、基板1の背面上に形成されていて基板1より高い不純物濃度を有するp型層7と、第1のn型層2aとp型層7とを接続するように少なくとも基板1の側面上に形成された第2のn型層2b,2c,2dとを含み、その第2のn型層2b,2c,2dは少なくともp型層7と接触する近傍において第1のn型層2aより低い不純物濃度を有している。

請求項（抜粋）：

第1の主面と第2の主面とそれら両主面間の側面とを有するp型半導体基板と、前記第1主面上に形成された第1のn型層と、前記第2主面上に形成されていて前記基板より高い不純物濃度を有するp型層と、前記第1のn型層と前記p型層とを接続するように少なくとも前記側面上に形成された第2のn型層とを含み、前記第2のn型層は少なくとも前記p型層と接触する近傍において前記第1のn型層より低い不純物濃度を有していることを特徴とする太陽電池セル。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 31/042

FI (2件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-256374
  
• 特開昭59-181071
  
• 特表平5-508742