特許

J-GLOBAL ID：200903037887078986

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 實光 一哲 ,  鈴木 英好
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 古谷 史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063899
公開番号（公開出願番号）：特開平5-266680
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 本発明は情報読出しのとき動作の安定したEPROMによる不揮発性半導体記憶装置に関し、センス増幅器の出力が期待値どおり確実に出力されるように構成した不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】 制御ゲート2とフローティングゲート3を持つメモリセル・トランジスタを備え、情報読出し時にメモリセルの制御ゲート2に印加される選択電圧を外部電源電圧よりも低く降圧した電圧とする手段を有することで構成する。

請求項（抜粋）：

制御ゲート(2) とフローティングゲート(3) を持つメモリセルトランジスタを備え、情報読出し時にメモリセルの制御ゲート(2) に印加される選択電圧を外部電源電圧よりも低く降圧した電圧とする手段を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 B ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371