配線基板

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：奥田誠 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-102532
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326293
出願日： 2000年04月04日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】基板内部に内蔵されたコンデンサの静電容量を大きくすることができる配線基板を提供すること。【解決手段】配線基板1は、その主面1Aに密集領域MRを形成する第1接続端子3P及び第2接続端子3Gを備える。また、内部に、第1プレーン電極層29等、第2プレーン電極層30等、及び高誘電体層76等からなる内蔵コンデンサ13を備える。接続端子3と内蔵コンデンサ13との間に位置する第1変換導体層19では、第1主面側ビア導体15よりも第1裏面側ビア導体25の数が少なくされ、一方、第2変換導体層21では、第2主面側ビア導体17よりも第2裏面側ビア導体27の数が少なくされている。

請求項（抜粋）：

主面と裏面とを有する配線基板であって、上記主面に形成され、ICチップの端子と接続するための多数の接続端子であって、多数の第1接続端子及び第2接続端子を含み、上記第1接続端子及び第2接続端子の少なくとも一部は、上記第1接続端子と第2接続端子とが密集する密集領域をなして配置された接続端子と、上記配線基板の内部のうち、少なくとも上記密集領域を厚さ方向に投影した投影密集領域内に、絶縁層を介して積層された複数の略平板状の導体層であって、多数の第1変換貫通孔を有する第1変換導体層、及び、この第1変換導体層よりも上記裏面側に位置し、第1裏面側貫通孔を有する1または複数の第1裏面側導体層、を含み、互いに導通された第1導体層、並びに、上記第1変換導体層よりも上記裏面側に位置し、多数の第2変換貫通孔を有する第2変換導体層、及び、この第2変換導体層よりも上記裏面側に位置し、第2裏面側貫通孔を有する1または複数の第2裏面側導体層、を含み、互いに導通された第2導体層、を有する導体層と、上記投影密集領域内を厚さ方向に延び、上記密集領域内の第1接続端子と上記第1変換導体層とをそれぞれ電気的に接続させる第1主面側ビア導体と、上記投影密集領域内を厚さ方向に延び、上記第2変換貫通孔内に位置して上記第2変換導体層とはそれぞれ絶縁し、上記第2裏面側貫通孔内に位置して上記1または複数の第2裏面側導体層とはそれぞれ絶縁し、上記絶縁層を貫通し、上記第1変換導体層と上記1または複数の第1裏面側導体層とをそれぞれ電気的に接続させる第1裏面側ビア導体と、上記投影密集領域内を厚さ方向に延び、上記第1変換貫通孔内に位置して上記第1変換導体層とはそれぞれ絶縁し、上記絶縁層を貫通し、上記密集領域内の第2接続端子と上記第2変換導体層とをそれぞれ電気的に接続させる第2主面側ビア導体と、上記投影密集領域内を厚さ方向に延び、上記第1裏面側貫通孔内に位置して上記1または複数の第1裏面側導体層とはそれぞれ絶縁し、上記絶縁層を貫通し、上記第2変換導体層と上記1または複数の第2裏面側導体層とをそれぞれ電気的に接続させる第2裏面側ビア導体と、を備え、上記第1裏面側導体層及び第2裏面側導体層の少なくとも一部は、上記絶縁層のうち高誘電体からなる高誘電体層を介して対向して交互に積層され、上記第1主面側ビア導体よりも上記第1裏面側ビア導体の数が少なく、上記第2主面側ビア導体よりも上記第2裏面側ビア導体の数が少ない配線基板。

IPC (2件)：

H01L 23/12 , H05K 3/46

FI (6件)：

H05K 3/46 N , H05K 3/46 Q , H01L 23/12 L , H01L 23/12 B , H01L 23/12 E , H01L 23/12 N

Fターム (21件)：

5E346AA12 , 5E346AA13 , 5E346AA15 , 5E346AA33 , 5E346AA35 , 5E346AA36 , 5E346AA43 , 5E346AA45 , 5E346BB02 , 5E346BB03 , 5E346BB04 , 5E346BB07 , 5E346BB11 , 5E346BB16 , 5E346BB20 , 5E346CC01 , 5E346CC21 , 5E346FF01 , 5E346FF45 , 5E346HH01 , 5E346HH04

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