特許

J-GLOBAL ID：200903037899602575

サブマウントおよび半導体レーザ装置

発明者： 安達 一彦
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-198635
公開番号（公開出願番号）：特開2005-038970
出願日： 2003年07月17日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】ハンダの表面張力を用いて半導体レーザチップがセルフアライメントに位置修正されることを可能にし、実装精度を向上させ、低コストを図ること。【解決手段】半導体レーザチップをマウントするサブマウントにおいて、マウント上に複数の分割された下地金属層2a,2bと、複数の分割されたそれぞれの下地金属層2a,2bに、順次形成されるハンダ層4と、下地金属層2a,2bの間に形成され、ハンダ濡れ性の悪い領域3と、を有し、分割されたそれぞれの下地金属層2a,2bの間隔が、マウント対象の半導体レーザチップの出射面幅および共振器長に対して狭く設定されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体レーザチップをマウントするサブマウントにおいて、 マウント上に複数の分割された下地金属層と、 前記複数の分割されたそれぞれの下地金属層に、順次形成されるハンダ層と、 前記下地金属層の間に形成され、ハンダ濡れ性の悪い領域と、 を有し、 前記分割されたそれぞれの下地金属層の間隔が、マウント対象の半導体レーザチップの出射面幅および共振器長に対して狭く設定されていることを特徴とするサブマウント。

IPC (1件)：

H01S5/022

FI (1件)：

H01S5/022

Fターム (8件)：

5F073BA05 ,  5F073BA07 ,  5F073BA09 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15 ,  5F073FA16 ,  5F073FA22 ,  5F073FA23