特許

J-GLOBAL ID：200903037905708933

半導体レーザ素子の製造方法

発明者： 常包 正樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-351928
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167186
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 高出力で安定して動作する半導体レーザ素子を提供する。【構成】 本発明は量子井戸を活性層とする半導体レーザにおいて、Alを含んだ半導体層上にSiO2 膜を堆積させた領域1を形成した後、800°C以上の高温で保持し、領域1下の量子井戸を無秩序化させ、その無秩序化させた領域に於てレーザ素子の共振器の反射面を構成することにより、無秩序化された共振器面を含む領域の活性層が、レーザ素子の反射器面近傍を除く、無秩序化していないレーザ素子の中央部分の活性層に比べ、実効的に大きなエネルギーギャップを有し、反射面近傍に於けるレーザ発振光の吸収を少なくすることにより、従来のレーザ素子より高い出力で安定して動作する半導体レーザ素子の、簡便で生産性の高い製造方法を提供するものである。

請求項（抜粋）：

量子井戸を活性層とする半導体レーザにおいて、AlをIII族元素の混晶比で50%以上含んだ半導体層上にSiO2 膜を堆積させた領域1を形成した後、800°C以上の高温で保持し、領域1下の量子井戸を無秩序化させ、その無秩序化させた領域に於てレーザ素子の共振器面を構成することにより、無秩序化された共振器面を含む領域の活性層が、レーザ素子の共振器面近傍を除く無秩序化していないレーザ素子の中央部分の活性層に比べ、実効的に大きなエネルギーギャップを有するようにすることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。