特許
J-GLOBAL ID：200903037907387310
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109599
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304289
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】横型ストライプ構造を有する電極の引き出し部における電極・コンタクトホールのオーバラップ量を増やし、電極引き出し部における抵抗値の増加や断線を防止できる半導体装置を提供する。【構成】横型ストライプ構造を有する半導体装置において、第1電極のコンタクト部(アノード電極コンタクト部18またはエミッタ電極コンタクト部50)は隣り合う第2電極のコンタクト部(カソード電極コンタクト部17またはベース電極コンタクト部49)よりも第1電極引き出し方向に突出しており、第2電極のコンタクト部は隣り合う第1電極のコンタクト部よりも第2電極引き出し方向に突出しており、各電極の引き出し端部における電極とコンタクトホールとのオーバーラップ量が各電極の引き出し端部以外の領域における電極とコンタクトホールとのオーバーラップ量よりも大きいことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、この半導体基板の主表面の一部に形成された基板と同一導電型のカソード電極コンタクト用の高濃度不純物領域と、前記半導体基板の主表面を被覆する絶縁膜と、この絶縁膜上にパターニング形成されると共に上記絶縁膜に開口されたカソード用コンタクトホールを通して前記カソード電極コンタクト用の高濃度不純物領域にコンタクトしたカソード電極と、このカソード電極と交互に並ぶように前記絶縁膜上にパターニング形成されると共に上記絶縁膜に開口されたアノード用コンタクトホールを通して前記半導体基板の主表面の一部にコンタクトし、ショットキー接合を有するアノード電極と、同一方向に引き出された複数本のアノード電極の各引き出し端部に共通に連なるように形成されたアノード配線と、上記アノード電極の引き出し方向とは逆方向に引き出された複数本のカソード電極の各引き出し端部に共通に連なるように形成されたカソード配線とを具備する横型ストライプ構造を有する半導体装置において、前記アノード電極のコンタクト部は隣り合うカソード電極のコンタクト部よりもアノード電極引き出し方向に突出しており、前記カソード電極のコンタクト部は隣り合うアノード電極のコンタクト部よりもカソード電極引き出し方向に突出しており、上記各電極の引き出し端部における電極とコンタクトホールとのオーバーラップ量が上記各電極の引き出し端部以外の領域における電極とコンタクトホールとのオーバーラップ量よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/44
, H01L 29/48
, H01L 21/331
, H01L 29/73
