特許
J-GLOBAL ID:200903037907836300

荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置の調整方法及び半導体デバイスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-246337
公開番号(公開出願番号):特開2000-123768
出願日: 1999年08月31日
公開日(公表日): 2000年04月28日
要約:
【要約】 (修正有)【解決手段】荷電粒子線を発生する荷電粒子源110と、前記荷電粒子線が照射された参照パターンをターゲット面上に投影するための投影光学系140,150と、前記ターゲット面上に配置されたピンホールアパーチャ125と、前記アパーチャと前記参照パターンとを相対的に走査する走査手段と、前記アパーチャを通過した荷電粒子線の強度を測定する測定手段と、を有し、前記測定手段によって測定された荷電粒子線の強度から分解能を測定することを特徴とする荷電粒子線装置と荷電粒子線装置の評価方法及びその装置を使用して半導体デバイスを製造する。【効果】アパーチャを用いた簡便な方法でパターンの分解能の評価や荷電粒子線光学系の補正器の調整を簡単に行うことができる。荷電粒子線装置のコストを及びこの装置を用いたデバイスの製造コストも抑えることができる。
請求項(抜粋):
荷電粒子線を発生する荷電粒子源と、前記荷電粒子線が照射された参照パターンをターゲット面上に投影するための投影光学系と、前記ターゲット面上に配置されたアパーチャと、前記アパーチャと前記参照パターンとを相対的に走査する走査手段と、前記アパーチャを通過した荷電粒子線の強度を測定する測定手段と、を有し、前記測定手段によって測定された荷電粒子線の強度から分解能を測定することを特徴とする荷電粒子線装置。
IPC (4件):
H01J 37/147 ,  G03F 7/20 504 ,  H01J 37/305 ,  H01L 21/027
FI (6件):
H01J 37/147 C ,  G03F 7/20 504 ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 541 B ,  H01L 21/30 541 V ,  H01L 21/30 541 N

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