特許
J-GLOBAL ID：200903037908342999
液晶素子およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-336199
公開番号（公開出願番号）：特開平10-221668
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 強誘電性または反強誘電性液晶の階調表示を実現する。【解決手段】 強誘電性または反強誘電性を示す液晶組成物と、光重合性の官能基を1つ有するモノマーとを所定の比率で混合した混合物を電極基板13・14との間の空隙に加熱しながら封入する。液晶組成物がスメクティック相を示す温度で混合物に光(紫外線)を照射して、モノマーを重合させた後、混合物を室温まで徐冷する。ポリマー分子近傍の液晶分子とポリマー分子から離れている液晶分子とではスイッチングに要する電界エネルギーが異なるので、スイッチングに要するしきい値電圧の異なる領域が形成される。そのような領域は、混合物に与える条件を変更して液晶材料からドーパントを分離させることによって生成することができる。その結果、液晶材料内でのドメイン形成を制御する核生成点が与えられる。そのようなドメイン形成の制御は、液晶素子の階調表示に利用できる。
請求項（抜粋）：
一対の基板間に液晶材料が満たされてなる液晶層を含む液晶素子の製造方法において、液晶材料に所定の条件で該液晶材料に混合するドーパントを加える工程と、上記液晶材料内でドメイン形成を制御するための複数の核生成点を与えるために上記液晶材料から上記ドーパントを分離させるように上記液晶材料に与える条件を変更する工程とを備えていることを特徴とする液晶素子の製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/13 101
, G02F 1/141
G02F 1/13 101
, G02F 1/137 510
