特許
J-GLOBAL ID：200903037908877248
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-008191
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209571
出願日： 1997年01月21日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子の活性層からクラッド層に電子がオーバーフローする電子のオーバーフロー問題を解決する。【解決手段】 650nm帯(可視光)及び1300nm帯(赤外光)の半導体レーザの活性層13にAlGaInNP混晶を使用する。Nの比率は、650nm帯レーザでは3%以下、1300nm帯レーザでは5〜10%とする。Nの比率を変化させると、伝導帯のバンドの不連続エネルギー量ΔEcが大きくなり、電子障壁が大きくなることで、活性層13からpクラッド層12、14への電子のオーバーフローが抑制される。
請求項（抜粋）：
活性層がAlGaInNP混晶を含むことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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