特許
J-GLOBAL ID：200903037912163659
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234649
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094550
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】本発明は、リードフレームのインナリードと半導体チップ上の電極とをメッキ接合してなる半導体装置およびその製造方法において、接合の信頼性を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、半導体チップ11の電極パッド12上に、ペースト状の金属からなる保護層14を形成する。そして、この保護層14にリードフレームのインナリード13の先端を押し付け、インナリード13と電極パッド12とを電気的に導通させる。この状態で、金属メッキ層15の形成を行うことにより、安定したメッキ接合を可能とする構成となっている。
請求項（抜粋）：
導電性材料からなるリードフレームと、このリードフレームのリード端子が接続される電極が設けられた半導体チップと、この半導体チップの前記電極上に形成され、前記リード端子の接触による損傷から前記電極部分を保護する導電性材料からなる保護層と、この保護層を介して接触された、前記半導体チップの電極および前記リードフレームのリード端子を金属メッキにより電気的に接続する接続部とを具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/50
