特許

J-GLOBAL ID：200903037914870352

半導体受光素子、及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-397959
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197953
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】歩留まりと再現性を向上した半導体受光素子を容易に作製する。【解決手段】本発明に係る半導体受光素子1によれば、半絶縁性GaAs基板2の上面部に、高さの異なる三段階の平坦面が形成されている。また、半絶縁性GaAs基板2の中央部に形成された下段面上には、n型GaAs層3とi型GaAs層4とp型GaAs層5が順次積層されている。更に、p型GaAs層5と半絶縁性GaAs基板2の上段面が為す平坦面上にp側オーミック電極6が跨設され、n型GaAs層3と半絶縁性GaAs基板2の中段面が為す平坦面上にn側オーミック電極7が跨設されている。

請求項（抜粋）：

夫々高さの異なる上段面、中段面、下段面を上面部に有し、前記下段面が前記上段面と前記中段面との間に形成された半絶縁性基板と、前記中段面と同等の高さを有する平坦面状に形成された第1上面部と、該第1上面部と同等或いは高位の高さを有する第2上面部を有し、前記下段面の直上に形成された、第1不純物を含む第1半導体層と、前記上段面と同等の高さを有する平坦面状に、前記第1半導体層の第2上面部上に形成された、第2不純物を含む第2半導体層と、前記第1半導体層の第1上面部と前記半絶縁性基板の中段面上に跨設された第1電極と、前記第2半導体層の上面部と前記半絶縁性基板の上段面上に跨設された第2電極と、を備えたことを特徴とする半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 , H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 31/10 H , H01L 31/10 A , H01L 21/306 P

Fターム (14件)：

5F043AA03 , 5F043FF10 , 5F049MA04 , 5F049MB07 , 5F049MB12 , 5F049NA08 , 5F049PA04 , 5F049PA14 , 5F049QA02 , 5F049QA13 , 5F049SE09 , 5F049SS04 , 5F049SS10 , 5F049SZ03

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-163979
導波路型フォトダイオード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-107484 出願人：日本航空電子工業株式会社
特開平2-214160

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