特許

J-GLOBAL ID：200903037926216704

CVD装置

発明者： 執行 正一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063324
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236459
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 反応ガスの予熱手段を備えたCVD装置において、反応ガスの中間生成体からなる不純物を除去し膜質の向上を図ったCVD装置を提供する。【構成】 反応室10内に複数枚のウェハ4を収容し、この反応室に連結された反応ガス配管12上に反応ガスを予熱するための予熱手段7、8を設けたCVD装置において、上記予熱手段7、8と反応室10の間の反応ガス配管12上にフィルター9を設けた。

請求項（抜粋）：

反応室内に複数枚のウェハを収容し、この反応室に連結された反応ガス配管上に反応ガスを予熱するための予熱手段を設けたCVD装置において、上記予熱手段と反応室の間の反応ガス配管上にフィルターを設けたことを特徴とするCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/31 B