特許
J-GLOBAL ID：200903037934576817
半導体メモリ用オンチップ電圧倍増器回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-341545
公開番号（公開出願番号）：特開平8-287687
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【課題】 供給電圧よりも高い電圧をオンチップで提供できるようにする。【解決手段】 N個の直列に配置されたステージを含み、各ステージには上下の側端子を有するスイッチTjが含まれ、前記上端子へはコンデンサCiの下端子がつながれており、前記コンデンサも上下の端子を有しており;各スイッチTjと各コンデンサCiとの間の中間ノードがそれぞれ対応するスイッチSiを介してアース電圧Vssへつながれ、各コンデンサCiの上端子がスイッチDiを介して供給電圧Vddへつながれており;第1ステージのスイッチT1の下側端子が供給電圧Vddへ直接つながれ、最終ステージのコンデンサCNの上側端子が付加的なスイッチT(N+1)を介して出力端子へつながれている。ここでiおよびjは1からNまでの値を取る。
請求項（抜粋）：
オンチップの電圧逓倍器回路であって、N個の直列に配置されたステージを含み、各ステージには上側端子と下側端子とを有するスイッチTj(j=1...N)が含まれ、前記上側端子へはコンデンサCi(i=1...N)の下側端子が逐次つながれており、前記コンデンサが更に下側端子と上側端子とを有していること;各スイッチTj(j=1...N)と各コンデンサCi(i=1...N)との間の中間ノードがそれぞれ対応するスイッチSi(i=1...N)を介してアース電圧Vssへつながれ、各コンデンサCi(i=1...N)の上側端子がスイッチDi(i=1...N)を介して供給電圧Vddへつながれていること;第1ステージのスイッチT1の下側端子が供給電圧Vddへ直接つながれ、最終ステージのコンデンサCNの上側端子が付加的なスイッチT(N+1)を介して出力端子へつながれていることを特徴とする回路。
IPC (3件)：
G11C 11/413
, G11C 11/407
, H02M 3/07
G11C 11/34 335 A
, H02M 3/07
, G11C 11/34 354 F
