半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-212526
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051223
出願日： 1988年03月11日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】高耐圧の半導体装置を提供する。【構成】 n形領域13とp+ 形領域14とを有する基板表面にチタン酸化物薄層17と絶縁膜18とフィールドプレート19aとを形成する。チタン酸化物薄層17の作用によってフィールドプレート19aによる高耐圧化を確実に達成することが可能になる。

請求項（抜粋）：

第1の導電形の第1の半導体領域と、前記第1の導電形と反対の第2の導電形を有し且つその表面を除いて前記第1の半導体領域に隣接して包囲されている第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域に接続されている電極と、前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域との間のpn接合の露出部分及び前記pn接合の露出部分を包囲する前記第1の半導体領域の表面及び前記pn接合の露出部分に包囲されている前記第2の半導体領域の表面に形成され且つ10MΩ/□以上のシート抵抗を有しているチタン酸化物薄層と、前記チタン酸化物薄層を覆うように形成されている絶縁膜と、前記第1の半導体領域の少なくとも前記pn接合に隣接する領域の表面に前記絶縁膜及び前記チタン酸化物薄層を介して対向する部分を有し且つ前記電極に接続されているフィールドプレートとを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/861 , H01L 21/316 , H01L 29/06 , H01L 29/872 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/91 D , H01L 29/48 E , H01L 29/78 301 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭50-000782
特開昭52-129380
特公昭49-033226

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