特許

J-GLOBAL ID：200903037937337341

半導体発光素子

発明者： 加藤 久喜 ,  平野 敦雄
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271544
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098210
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 電極による遮光の影響をできる限り小さくし、発光素子から放出される光を効率よく利用できる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n伝導型の第1の半導体層3の隅部にn電極6が配置され、p伝導型の第2の半導体層5の隅部にp電極8が配置され、かつn電極とp電極が同じ上面(発光面)側に形成されている半導体発光素子において、平面から視たときn電極6を四角形としかつp電極8を円形とする。このようにすると、n電極を円形としかつp電極を円形とした場合に比べて、発光面において電極で遮蔽されていない部分が広くなる。

請求項（抜粋）：

AlXInYGa1ーXーYN(X=0、Y=0、X=Y=0を含む)から形成される半導体発光素子であって、n伝導型の第1の半導体層の隅部にn電極が配置され、p伝導型の第2の半導体層の隅部にp電極が配置され、かつ前記n電極とp電極は同一面側に形成されている半導体発光素子において、前記n電極はその形成面を垂直に視たとき実質的に四角形であり、前記p電極はその形成面を垂直に視たとき実質的に円形である、ことを特徴とする半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E