特許
J-GLOBAL ID：200903037939038910
真空紫外光を用いたYSZ薄膜の合成方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-204879
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069809
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 金属有機化合物前駆体の分解を大幅に促進し、低温度でYSZ薄膜の結晶化を可能にするYSZ薄膜の合成方法およびその装置を提供すること。【構成】 サセプタ9に載せられた基板8を入れる真空チャンバー1と、前記サセプタ9を加熱する赤外線加熱装置6と、前記基板8に加熱と同時に真空紫外光を照射する真空紫外光照射装置4とを有する。基板8にディップコーティングした金属有機化合物前駆体が真空紫外光励起効果により330°Cの低温度でYSZ薄膜に結晶化された。
請求項（抜粋）：
金属有機化合物の前駆体を基板に塗布し、該基板を乾燥した後真空チャンバーに導入し、加熱と同時に真空紫外光照射を行うことを特徴とする真空紫外光を用いたYSZ薄膜の合成方法。
IPC (2件)：
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