特許
J-GLOBAL ID：200903037939580626
半導体受光素子とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-084542
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289904
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 2以上の波長の異なる信号光を用いる波長多重光通信において除去すべき波長と感受すべき波長の選択性の高い半導体受光素子を提供すること。【解決手段】 受光素子の光が入射する側の開口部に、透明樹脂層と除去すべき波長の光を反射する多層膜波長選択フィルタ層とを設ける。樹脂層が応力を緩和して厚い多層膜波長選択フィルタが剥離変形するのを防ぐ。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この基板の片側に形成されたpn接合よりなる受光部と、光を入射させる側の面に設けられた透明な樹脂層とこの樹脂層に形成された多層膜フィルタ層よりなり除去すべき波長を透過させない波長選択フィルタとよりなることを特徴とする半導体受光素子。
Fターム (11件)：
5F049MA02
, 5F049MB07
, 5F049NA04
, 5F049NA10
, 5F049NA18
, 5F049NB01
, 5F049PA07
, 5F049QA06
, 5F049SS04
, 5F049SZ07
, 5F049WA01
