半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206363
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055558
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】高温動作における素子特性を改善でき、しかも発光効率の低下を防止できる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板101上に、n型第1クラッド層102と活性層103とp型第2クラッド層104とがこの順に形成されている。その上に、ストライプ状溝部106を有するn型電流光閉じ込め層105が形成され、ストライプ状溝部106を埋め込むようにp型第3クラッド層107が形成されている。n型電流光閉じ込め層105はドーパントとしてSiを含有し、n型第1クラッド層102はドーパントとしてSiを含有していない。

請求項（抜粋）：

n型半導体基板上に、n型第1クラッド層と活性層とp型第2クラッド層とが基板側からこの順に形成され、該第2クラッド層上に、ストライプ状溝部を有するn型電流光閉じ込め層が形成され、該ストライプ状溝部を埋め込むようにp型第3クラッド層が形成されている半導体レーザ素子において、該電流光閉じ込め層がドーパントとしてSiを含有し、該第1クラッド層がドーパントとしてSiを含有していない半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-268082
マルチビーム半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-052427 出願人：住友電気工業株式会社
半導体装置,及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-164124 出願人：三菱電機株式会社

全件表示

前のページに戻る