特許

J-GLOBAL ID：200903037946336439

半導体製造装置

発明者： 保坂 英二
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-049475
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219375
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】半導体製造装置に於いて、降温速度を大きくし、冷却時間の短縮、ひいてはスループットの向上を図る。【解決手段】上端が閉塞された筒状のヒータ1がベース5にリング状断熱材のヒータ台座14を介して立設され、前記ヒータ内に反応管2が配設され、前記ヒータと反応管との間に空間11が形成され、前記反応管はベースを貫通して立設され、前記ヒータ台座に前記空間に連通する吹込み孔15を所要数設け、前記空間の上端部に排熱系を連通し、前記空間を流れる冷却媒体の流量を充分に確保することで冷却速度が改善される。

請求項（抜粋）：

上端が閉塞された筒状のヒータがベースにリング状断熱材のヒータ台座を介して立設され、前記ヒータ内に反応管が配設され、前記ヒータと反応管との間に空間が形成され、前記反応管はベースを貫通して立設され、前記ヒータ台座に前記空間に連通する吹込み孔を所要数設け、前記空間の上端部に排熱系を連通したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/22 511 A ,  H01L 21/22 511 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 D