磁気センサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-081136
公開番号（公開出願番号）：特開平9-274070
出願日： 1996年04月03日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路上で、シンプルな回路で、低消費電力で、しかも、高速動作が可能な磁気センサを提供する。【解決手段】磁気抵抗(MR)素子1は、一方側の端子をGND端子16に、他方側の端子をトランジスタ11のベースと、電源ラインと接続された半導体抵抗7に接続する。MR素子2は、一方側の端子を電源ラインに、他方側の端子をトランジスタ11のコレクタと、比較器5の入力に接続する。トランジスタ11のエミッタは、半導体抵抗8を介してGND端子16と接続する。MR素子3、MR素子4及びトランジスタ12の各接続も、上記と同様である。MR素子1とMR素子3は、同一抵抗値になるように寸法が決められ、MR素子2とMR素子4もまた、同一抵抗値になるように寸法が決められる。

請求項（抜粋）：

強磁性合金薄膜を基板上に蒸着し且つ特定の形状にパターンニングして形成される複数の磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子と同一基板上に形成される半導体集積回路からなる磁気センサにおいて、同一方向にパターンニングされた第1磁気抵抗素子および第2磁気抵抗素子、第1磁気抵抗素子および第2磁気抵抗素子に対して垂直方向にパターンニングされた第3磁気抵抗素子および第4磁気抵抗素子を有し、第1磁気抵抗素子と第3磁気抵抗素子は同一抵抗値になるように寸法が決められ、それぞれ一方側の端子をグラウンドに、他方側の端子を、第1磁気抵抗素子は第1トランジスタのベースと、第1拡散抵抗に接続し、第3磁気抵抗素子は第2トランジスタのベースと、第2拡散抵抗に接続し、第2磁気抵抗素子と第4磁気抵抗素子もまた同一抵抗値になるように寸法が決められ、それぞれ一方側の端子を電源ラインに、他方側の端子を、第2磁気抵抗素子は第1トランジスタのコレクタと、比較器の入力端子に接続し、第4磁気抵抗素子は第2トランジスタのコレクタと、比較器の入力端子に接続するように回路を設定したことを特徴とする磁気センサ。

IPC (3件)：

G01R 33/09 , H01L 27/22 , H01L 43/08

FI (4件)：

G01R 33/06 R , H01L 27/22 , H01L 43/08 P , H01L 43/08 A

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