特許
J-GLOBAL ID：200903037951343699
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-320373
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163321
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールの形状が変形することがなく、またその形状が変形しないことから、コンタクトホール内面に形成される金属がコンタクトホールに充填される充填材料と半導体基板との反応を抑制するのに充分な厚み及び形状に形成されるとともに、金属-シリコン基板間のコンタクト抵抗を下げるために、シリコン側の不純物濃度を上げることにより、特性が良く信頼性向上が図れる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に形成した層間絶縁膜11に設けたコンタクトホール12より前記半導体基板1に注入8した不純物の活性化を、前記コンタクトホール12に充填材料15を充填した後に行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成した層間絶縁膜に設けたコンタクトホールより前記半導体基板に注入した不純物の活性化を、前記コンタクトホールに充填材料を充填した後に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/265
, H01L 21/28
, H01L 29/78
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 L
, H01L 21/265 602 B
, H01L 29/78 301 X
