特許
J-GLOBAL ID：200903037952880795
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-245945
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078864
出願日： 1993年09月06日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の特性が劣化しないような裏面研削装置及び裏面研削工程が簡略化される半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 裏面研削装置は、水平方向に回転する砥石ヘッド5と、前記砥石ヘッド表面の周辺部分に配置された複数の砥石3と、前記砥石の上方に配置し、集積回路が形成されている素子領域を備えたウェーハ1を吸着する真空チャックヘッド4を有する真空チャックとを備えている。前記真空チャックに吸着した前記ウェーハ裏面を、前記回転する砥石ヘッド上の砥石の上方からこの砥石に接触させて研削する。前記ウェーハの表面と真空チャックの表面との間には前記ウェ-ハ表面を保護する多孔性保護テープ2を介在させる。前記多孔性保護テープは、前記真空チャック表面に接着しており、接着剤によって前記真空チャックに接着されている。ウェーハが載置固定される真空チャックテーブルを砥石ヘッドに固定された砥石の下に配置するので、裏面研削による切削屑がウェーハの表面に付着しない。
請求項（抜粋）：
水平方向に回転する砥石ヘッドと、前記砥石ヘッド表面の周辺部分に配置された複数の砥石と、前記砥石の上方に配置し、集積回路が形成されている活性領域を備えた半導体ウェーハを吸着する真空チャックとを具備し、前記真空チャックに吸着した前記半導体ウェーハ裏面を、前記回転する砥石ヘッド上の砥石の上方からこの砥石に接触させて、研削することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/68
, B24B 1/00
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
