特許
J-GLOBAL ID：200903037953537849
埋め込み型半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-281546
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129963
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 リッジ埋め込み型の半導体レーザを製造する際に、リッジの上側を構成する半導体層において充分なサイドエッチング量を達成できない。【解決手段】 リッジ22の上側を構成するp-GaAsキャップ層7の厚さc(μm)が、リッジ22の下端部の幅W(μm),リッジ22の傾斜角α,β(°),リッジ22の下側を構成するp-Ga<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>Pコンタクト層6及びp-(Al<SB>0.7 </SB>Ga<SB>0.3 </SB>)<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>Pクラッド層5の合計の厚さh(μm)に対して、0.4≦c<W/{tan(90°-α)+tan(90°-β)}-hを満足する。
請求項（抜粋）：
第1半導体層と第2半導体層との積層構造からなるメサ状のリッジを有する埋め込み型半導体レーザにおいて、前記第1半導体層の厚さc(μm)が、前記リッジの下端部の幅W(μm),前記リッジの傾斜角度α,β(°),前記第2半導体層の厚さh(μm)に対して、0.4≦c<W/{tan(90°-α)+tan(90°-β)}-hの条件を満足することを特徴とする埋め込み型半導体レーザ。
引用特許：
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