特許

J-GLOBAL ID：200903037955653854

オンチップマイクロレンズおよび固体撮像装置の製造方法

発明者： 狭山 征博
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-262009
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091549
出願日： 1998年09月16日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】オンチップマイクロレンズおよび固体撮像装置の製造方法【課題】高温・高湿等の過酷な条件下等においても、配線アルミの腐食等を起こすことなく、またオンチップマイクロレンズにクラックが入ることのない優れた耐久性を有するオンチップマイクロレンズ及び該オンチップマイクロレンズを有する固体撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板又は半導体基板上に形成された固体撮像素子上に、ネガ型の感光性樹脂からなる透明樹脂層を形成する工程と、前記透明樹脂層上に、ポジ型の感光性樹脂からなる感光性樹脂層を形成する工程と、前記感光性樹脂層を露光して、前記感光性樹脂層にマイクロレンズに対応するパターンを形成する工程と、前記パターンを前記透明樹脂層に転写する工程と、前記基板を加熱しつつ、前記透明樹脂層を紫外線照射処理する工程を有する、オンチップマイクロレンズ及び該オンチップマイクロレンズを有する固体撮像装置の製造法。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された固体撮像素子上に、ネガ型の感光性樹脂からなる透明樹脂層を形成する工程と、前記透明樹脂層上に、ポジ型の感光性樹脂からなる感光性樹脂層を形成する工程と、前記感光性樹脂層を露光して、前記感光性樹脂層にマイクロレンズに対応するパターンを形成する工程と、前記パターンを前記透明樹脂層に転写する工程と、前記基板を加熱しつつ、前記透明樹脂層を紫外線照射処理する工程を有する、オンチップマイクロレンズの製造法。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  G02B 3/00 ,  G03F 7/26

FI (3件)：

H01L 27/14 D ,  G02B 3/00 A ,  G03F 7/26

Fターム (19件)：

2H096AA25 ,  2H096AA30 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096EA30 ,  2H096FA10 ,  2H096HA30 ,  2H096KA04 ,  2H096KA06 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118CA03 ,  4M118GB03 ,  4M118GB08 ,  4M118GB11 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07