特許
J-GLOBAL ID：200903037957407583
バイポーラトランジスタ,およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-034040
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245314
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 エミッタ抵抗,もしくはコレクタ抵抗が低く、かつ容量が小さいHBTを実現する。【構成】 マスク用結晶層5に開口部6を設け、その上にエミッタ層7もしくはコレクタ層3を再成長し、マスク用結晶層5を選択的にエッチング除去することにより、断面がほぼT字形状のエミッタ構造E,もしくはコレクタ構造Cを形成する。【効果】 半導体層の接合面積を小さく、かつ電極のコンタクト面積を大きくすことができ、高性能なHBTを実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたコレクタ層と、該コレクタ層上に形成されたベース層と、該ベース層上に形成され、少なくともその一部に断面がほぼT型形状の部分を有するエミッタとを備えたことを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
