特許

J-GLOBAL ID：200903037960543900

発光素子

発明者： 三村 秀典 ,  松本 貴裕
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101949
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288337
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】 大気に晒すことなく多孔質Siのpn接合を作製し、発光素子の輝度の向上と閾値電圧の低下を実現することのできる発光素子を提供する。【構成】 シリコンpn接合基板を陽極化成することにより、多孔質シリコンpn接合を作製した。このようにして作製した多孔質シリコンpn接合はpn接合面が良好なため、発光輝度と発光の閾値電圧の減少を図れることがわかった。

請求項（抜粋）：

p型又はn型のシリコン上に、このシリコンとは異なる伝導型を有するシリコン半導体を積層したpn接合からなるシリコン基板を陽極化成することにより作製した発光素子。