特許

J-GLOBAL ID：200903037964048092

半導体装置およびその製造方法

発明者： 大 黒 達 也 ,  藤 原 実
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-299485
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110812
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ノイズ特性等に優れ、製造が容易な複数種類のゲート絶縁膜厚を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置においては、膜厚の異なるゲート絶縁膜のうち薄いものをシリコン酸窒化膜304で、厚いものを酸化膜あるいは窒化膜303とこれらとは異なる膜305の積層体で構成する。半導体装置の製造方法においては、犠牲酸化膜を用い、薄いゲート絶縁膜が必要な領域ではこれを除去して窒化膜を形成し、他の領域の犠牲酸化膜を剥離して酸化を行う。他の方法では酸化膜形成後、厚い酸化膜の必要な領域では耐窒化性膜を積層して窒化を行う。

請求項（抜粋）：

2種類以上の膜厚を有するゲート絶縁膜を同じシリコン基板上に有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜の少なくとも1つはシリコン酸窒化膜あるいはシリコン酸化膜であり、他のゲート絶縁膜はシリコン酸化膜と、シリコン酸化膜とは異なる絶縁膜の積層体となっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/08 102 C

Fターム (20件)：

5F048AA05 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF62 ,  5F058BJ04